研削後のウェーハのダメージ層を除去する為、ウェーハの表面を高精度に仕上げるポリッシングヘッドを備えたφ３"・φ４"用ポリッシングマシーン及び半導体デバイス等で用いられるCMP(Chemical Mechanical Polish)機構を併せ持ったマシーンです。
強制ドライブ機構、循環冷却水機構などさまざまな機構を搭載し、高精度の加圧コントロール機構を備えたセミオートＣＭＰ装置です。
※ 下記仕様はスタンダードモデルのものです。
| ポリッシングテーブル関係 | |
| ラッププレートの大きさ外径 | φ380mm |
| ラッププレートの回転数 | 10〜100rpm |
| 無段階変速ラッププレートの冷却方式 | 恒温水循環方式 |
| ポリッシュプレート材質 | SUSまたはアルミナセラミックス |
| ポリッシュプレート受け材質 | SUS420J2 |
| プレート交換方式 | ワンタッチ交換方式 |
| プロセスステップ数 | 4段階 |
| ポリッシュヘッド関係 | |
| ポリッシュヘッド軸数 | 2軸 |
| ポリッシュヘッド回転数 | 10〜100rpm |
| ポリッシュヘッド加圧 | エアシリンダ方式 |
| ポリッシュヘッド上下ストローク | 100mm |
| オシレーション関係 | |
| オシレーション揺動ストローク | ±25mm |
| オシレーション速度 | 無段階速度 |
| ウェーハ最大径 | φ4インチ |
| エアシリンダ機構 | |
| エアシリンダストローク | 100mm |
| 加圧重量範囲 | 0〜50kg(低圧仕様) |
| 供給エアー | 5.0MPa |
| 装置重量寸法 | |
| 本体重量 | 約1,500kg |
| 本体寸法 | 幅1,010mm×奥行945mm ×高さ1,875mm |
